

Référence: 59-08834
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-92-3
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 50 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 300 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 300 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Pd - Dissipation d’énergie : 830 mW
Produit gain-bande passante fT : 60 MHz
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Série: BF420
Courant de collecteur continu : 500 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 50
Hauteur: 4.95 mm
Longueur: 4.95 mm
Largeur: 3.94 mm
Référence: 59-02968
Référence: 59-05780
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
Référence: 59-02981
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load