Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-92-3
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 500 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 300 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 300 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 625 mW
Produit gain-bande passante fT : 50 MHz
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Courant de collecteur continu : 500 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40
Hauteur: 5.33 mm
Longueur: 5.2 mm
Largeur: 4.19 mm
Poids de l''unité: 200 mg