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DDTC123ECA-7-F, Transistors bipolaires - Prépolarisés PRE-BIAS NPN 200mW, SOT-23-3
Référence: 59-05934
Référence: 59-08822
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-92-3
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 500 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 300 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 300 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 625 mW
Produit gain-bande passante fT : 50 MHz
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Courant de collecteur continu : 500 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40
Hauteur: 5.33 mm
Longueur: 5.2 mm
Largeur: 4.19 mm
Poids de l''unité: 200 mg
Référence: 59-05934
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
Référence: 59-07063
Référence: 59-01486
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A