

Référence: 59-08821
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-92
Polarité du transistor: PNP
Courant CC max. du collecteur: 500 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 300 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 300 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 625 mW
Produit gain-bande passante fT : 70 MHz
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Gain de courant CC hFE max.: 40
Poids de l''unité: 336 mg
Référence: 59-02980
Référence: 59-08784
Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Référence: 59-02968
Référence: 59-05934