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Référence: 59-08815
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-204-2
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 20 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 140 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 140 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1 V
Pd - Dissipation d’énergie : 250 W
Produit gain-bande passante fT : 2 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Série: MJ15003
Courant de collecteur continu : 20 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 25
Hauteur: 8.51 mm
Longueur: 39.37 mm
Largeur: 26.67 mm
Poids de l''unité: 11,800 g
Référence: 59-02967
Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Référence: 59-07062
Référence: 59-01486
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
Référence: 59-07068
Référence: 59-07042
Référence: 59-02981
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
Référence: 59-02980