BC338-25, Transistors bipolaires - BJT 25V 800mA NPN

Référence: 59-08734

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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT  

Style de montage: Traversant

Package/Boîte: TO-92

Polarité du transistor: NPN

Configuration: Single

Courant CC max. du collecteur: 800 mA

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 25 V

Collecteur - Tension de base VCBO: -

Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 700 mV

Pd - Dissipation d’énergie : 625 mW

Produit gain-bande passante fT : 100 MHz

Température de fonctionnement min.: - 55 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

59-08734

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15,000 TND Prix

Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A