ON SEMICONDUCTORBC847BPDW1T1G Transistors bipolaires - BJT,100mA 50V Dual Complementary
Référence: 59-05936
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Référence: 59-08732
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-92-3
Polarité du transistor: PNP
Courant CC max. du collecteur: 100 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 30 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 30 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 250 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 500 mW
Produit gain-bande passante fT : 150 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
59-08732
Références spécifiques
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