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MJE18004, Transistors bipolaires - BJT 5A 1000V 75W NPN

Référence: 59-08730

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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT  

Technologie: Si

Style de montage: Traversant

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: NPN  

Courant CC max. du collecteur: 5 A

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 450 V

Collecteur - Tension de base VCBO: 1 kV

Émetteur - Tension de base VEBO: 9 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 920 mV

Pd - Dissipation d’énergie : 75 W

Produit gain-bande passante fT : 13 MHz

Température de fonctionnement min.: - 65 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

59-08730

Références spécifiques

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