
NPN Power Transistors, 2N5239
Référence: 59-01486
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
Référence: 59-08730
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 5 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 450 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 1 kV
Émetteur - Tension de base VEBO: 9 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 920 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 75 W
Produit gain-bande passante fT : 13 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Référence: 59-01486
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
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