

Référence: 59-08729
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS: OUI
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 8 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 250 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 250 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 50 W
Produit gain-bande passante fT : 30 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
Référence: 59-05936