MJE15032G, Transistors bipolaires - BJT 8A 250V 50W NPN

Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT

RoHS:  OUI

Technologie: Si

Style de montage: Traversant

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: NPN

Courant CC max. du collecteur: 8 A

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 250 V

Collecteur - Tension de base VCBO: 250 V

Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV

Pd - Dissipation d’énergie : 50 W

Produit gain-bande passante fT : 30 MHz

Température de fonctionnement min.: - 65 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C