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Référence: 59-07063
Garanties sécurité
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 100 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Courant CC max. du collecteur: 10 A
Pd - Dissipation d’énergie : 80000 mW
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40 at 1 A, 4 V
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Référence: 59-04591
Référence: 59-01587
Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Référence: 59-08787
Le 2N3906 est un transistor NPN traversant, basse puissance silicium en boîtier TO-92 en métal.
Ce transistor offre une commutation rapide. Il est recommandé pour les commutations et l'amplification.
Référence: 59-04516
Le BC107 est un petit transistor NPN unique disponible dans un boîtier métallique TO-18. Ces transistors sont très anciens et ont été utilisés dans des conceptions à faible bruit et à faible signal. Aujourd'hui, de nombreux nouveaux transistors sont venus remplacer le BC107, mais le transistor peut toujours être trouvé sur le marché pour son héritage.
Référence: 59-07062