BD241C, Transistor bipolaire (BJT), NPN, 100 V, 40 W, 3 A

Référence: 59-07061

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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: NPN
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 80 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 90 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.2 V
Courant CC max. du collecteur: 3 A
Pd - Dissipation d’énergie : 40 W
Produit gain-bande passante fT : 3 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Courant de collecteur continu : 3 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 25
Hauteur: 9.28 mm
Longueur: 10.28 mm
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistor
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Largeur: 4.82 mm
Poids de l''unité: 6 g

59-07061

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Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN