

Référence: 59-05780
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Attribut de produit Valeur d'attribut Recherche similaire
Fabricant: STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS: OUI
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: SOT-32-3
Polarité du transistor: NPN
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 45 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 45 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 0.5 V
Courant CC max. du collecteur: 1.5 A
Pd - Dissipation d’énergie : 12.5 W
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Série: BD135
Conditionnement: Tube
Gain de courant CC hFE max.: 250
Hauteur: 10.8 mm
Longueur: 7.8 mm
Technologie: Si
Largeur: 2.7 mm
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu : 1.5 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 25
Référence: 59-05663
Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Référence: 59-02967