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Référence: 59-01610
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Référence: 59-00835
Power: 0.1 W Infrared light power: 80 mW/sr above Current: 50 ma Launch Angle: 30 degrees, 45 degrees, 60 degrees Voltage (VF) : 1.1-1.4 V (0.1 V each file) Wave long (WD) : 940 nm Tube (limit parameters (Absolute Maximum Ratings) (Ta = 25) The biggest power: a 70 MW; The biggest positive current: 30 MA; The biggest reverse voltage: 5 V; Maximum pulse current peak: 75 MA; The welding temperature/time: 240 /than 5 S/S; Work environment:-25 ~ + 85 Storage temperature: ~ + 100;
Référence: 59-03022
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
Référence: 59-02801