

Référence: 59-06115
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Fabricant: ON Semiconductor
Catégorie du produit: Optocoupleurs de sortie de transistor
RoHS: Oui
Package/Boîte: PDIP-6
Type de sortie: Photodarlington
Nombre de canaux: 1 Channel
If - Courant direct: 80 mA
Tension de l'émetteur du collecteur max.: 30 V
Courant du collecteur max.: 150 mA
Tension d'isolation: 5300 Vrms
Tension de saturation de l'émetteur du collecteur max.: 1 V
Vf - Tension directe: 1.5 V
Vr - Tension inverse: 3 V
Pd - Dissipation d’énergie : 250 mW
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 100 C
Conditionnement: Bulk
Configuration: 1 Channel
Hauteur: 2.41 mm
Longueur: 8.89 mm
Largeur: 6.86 mm
Marque: ON Semiconductor / Fairchild
Type de produit: Transistor Output Optocouplers
Sous-catégorie: Optocouplers
Raccourcis pour l'article N°: 4N33_NL
Référence: 59-00867
Attachable heatsink TO-220 - 21 K/W, Black, w/straight solder pin Materials:ASSMANN Electronics Inc RoHS Compliant AL 5052 T=0.8±0.1 MM Finished: Black Anodized Thermal resistance 21 K/W Solder pin length: 9.53mm
Référence: 59-04578
Référence: 59-05951
Référence: 59-06007
Ce produit répond aux besoins d’identification avec des exigences sévères dans le secteur de l’industrie en général.
Il permet d’identifier vos faisceaux de manière rapide et efficace avec votre imprimante transfert thermique et rend vos repères lisibles dans le temps.
Rapport de rétreint 3/1.
Référence: 59-05426
Optocoupleurs de sortie de transistor DIP-6 PHOTO TRANS
Référence: 59-06362
Référence: 59-04847
Optocoupleurs de sortie de transistor OPTOCPLR 6PIN SNGL PHOTO XTR-e3
Référence: 59-01490
Le 4N25 est un coupleur de phototransistor standard à une voie avec une connexion de base. L'optocoupleur est constitué d'une LED infrarouge en arséniure de gallium et d'un phototransistor silicium NPN.
Référence: 59-03841
Le KB817 est un photocoupleur de type transistor unique à haute tension d'isolement pour un usage général. Il s'agit d'un isolateur à couplage optique contenant une diode électroluminescente GaAS et un phototransistor au silicium NPN. L'épaisseur de l'isolant solide entre la diode émettrice et le phototransistor de sortie est de >0,6mm.
Référence: 59-05259
Référence: 59-04045
Caractéristiques:
Paquet/boîte Dip 6 broches
Vdr 30V
Courant Si 60mA
Isolement Vrms 7500
Temps de montée Tr 2.2us
Temps de chute Tf 2.2us
Référence: 59-04285
Référence: 59-03429