

Référence: 59-06057
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Catégorie du produit:Optocoupleurs de sortie de transistor
RoHS: Oui
Package/Boîte:DIP-6
Type de sortie:NPN Phototransistor
Nombre de canaux:1 Channel
If - Courant direct:60 mA
Tension de l'émetteur du collecteur max.:70 V
Courant du collecteur max.:100 mA
Tension d'isolation:5000 Vrms
Tension de saturation de l'émetteur du collecteur max.:0.4 V
Vf - Tension directe:1.65 V
Vr - Tension inverse:6 V
Pd - Dissipation d’énergie :150 mW
Température de fonctionnement min.:- 55 C
Température de fonctionnement max.:+ 100 C
Série:CNY
Conditionnement:Tube
Hauteur:3.81 mm
Longueur:8.7 mm
Largeur:6.5 mm
Tension collecteur-émetteur de rupture :70 V
Style de montage:Through Hole
Coefficient de transfert de courant:320 %
Temps de descente:15 us
Type de produit:Transistor Output Optocouplers
Temps de montée:4.6 us
Sous-catégorie:Optocouplers
Référence: 59-01497
Référence: 59-06362
Référence: 59-04045
Caractéristiques:
Paquet/boîte Dip 6 broches
Vdr 30V
Courant Si 60mA
Isolement Vrms 7500
Temps de montée Tr 2.2us
Temps de chute Tf 2.2us
Référence: 59-05802
Référence: 59-04044
■ Caractéristiques
1. Rapport de transfert de courant élevé ( CTR : MIN. 1 000 % à I F = 1 mA, V CE = 2 V )
2. Dissipation de puissance élevée du collecteur (Pc : 300 mW)
3. Haute tension d'isolation entre entrée et sortie ( Viso : 5 000V rms )
Référence: 59-05426
Optocoupleurs de sortie de transistor DIP-6 PHOTO TRANS
Référence: 59-05814