

Référence: 59-05281
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Référence: 59-00269
SKQTLAE010-SAG
Référence: 59-00737
Fabricant: Texas Instruments Catégorie du produit: Contrôleurs de commutation RoHS: RoHS : conforme Détails Marque: Texas Instruments Topologie: Boost, Flyback, Forward Nombre de sorties: 1 Fréquence de commutation: 500 kHz Cycle de service - Maxi.: 100 % Tension de sortie: 4.95 V to 5.05 V Courant de sortie: 1000 mA Température de fonctionnement max.: + 85 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: PDIP-8 Conditionnement: Tube Temps de descente: 50 ns Température de fonctionnement min.: - 40 C Tension d'alimentation de fonctionnement: 30 V Temps de montée: 50 ns Série: UC2843A Nombre de pièces de l'usine: 50 Type: Current Mode PWM Controllers
Référence: 59-03535
Diodes
- Usage général, alimentation,
commutation 85V 150mW
Référence: 59-04044
■ Caractéristiques
1. Rapport de transfert de courant élevé ( CTR : MIN. 1 000 % à I F = 1 mA, V CE = 2 V )
2. Dissipation de puissance élevée du collecteur (Pc : 300 mW)
3. Haute tension d'isolation entre entrée et sortie ( Viso : 5 000V rms )
Référence: 59-04442
Générateur de réinitialisation à la mise sous tension
Génération de réinitialisation automatique après la chute de tension
Référence: 59-05908
Référence: 59-05951
Référence: 59-06007
Ce produit répond aux besoins d’identification avec des exigences sévères dans le secteur de l’industrie en général.
Il permet d’identifier vos faisceaux de manière rapide et efficace avec votre imprimante transfert thermique et rend vos repères lisibles dans le temps.
Rapport de rétreint 3/1.
Référence: 59-05426
Optocoupleurs de sortie de transistor DIP-6 PHOTO TRANS
Référence: 59-06057
Référence: 59-04847
Optocoupleurs de sortie de transistor OPTOCPLR 6PIN SNGL PHOTO XTR-e3
Référence: 59-04045
Caractéristiques:
Paquet/boîte Dip 6 broches
Vdr 30V
Courant Si 60mA
Isolement Vrms 7500
Temps de montée Tr 2.2us
Temps de chute Tf 2.2us
Référence: 59-03841
Le KB817 est un photocoupleur de type transistor unique à haute tension d'isolement pour un usage général. Il s'agit d'un isolateur à couplage optique contenant une diode électroluminescente GaAS et un phototransistor au silicium NPN. L'épaisseur de l'isolant solide entre la diode émettrice et le phototransistor de sortie est de >0,6mm.
Référence: 59-05667
Référence: 59-05287
Référence: 59-01497
Référence: 59-05917
Référence: 59-06004