Optocoupleur , TIL117

Référence: 59-04045

0,900 TND
TTC

Caractéristiques:

 Paquet/boîte Dip 6 broches

 Vdr 30V

 Courant Si 60mA

 Isolement Vrms 7500

 Temps de montée Tr 2.2us

 Temps de chute Tf 2.2us

Quantité
En stock

 

Garanties sécurité

 

Livraison gratuite à partir de 300dt

 

Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h

Type de sortie: Phototransistor
Nombre de voies: 1
Tension d'isolation (V): 5300
Tension d'émetteur-collecteur (Vce): 30V
Courant de collecteur (Ic): 50mA
Coefficient de transfert min.(%): 50
Temps de montée et de descente (us): 2
Connexion: Pattes
Nombre de pattes: 6
Taille de connexion (mm): 3
Espacement des pattes (mm): 2.54
Entraxe (mm): 7.62

Dimensions : L 7.62mm x l 7mm x H 4mm

Tension : 1.2V

Puissance : 200mW

Gamme de température : -55/+100°C

Boitier : PDIP-6

59-04045

Références spécifiques

Produits apparentés

Optocoupleur ,PC716V
En stock

Optocoupleur ,PC716V

Référence: 59-04044

1,399 TND Prix

■ Caractéristiques

1. Rapport de transfert de courant élevé ( CTR : MIN. 1 000 % à I F = 1 mA, V CE = 2 V )

2. Dissipation de puissance élevée du collecteur (Pc : 300 mW)

3. Haute tension d'isolation entre entrée et sortie ( Viso : 5 000V rms )

 



16 autres produits dans la même catégorie :

KB814 Optocoupleur, Sortie...
En stock

KB814 Optocoupleur, Sortie transistor, 1 voie, DIP, 4 Broche(s), 50 mA, 5 kV, 20 % KB814

Référence: 59-03841

1,750 TND Prix

Le KB817 est un photocoupleur de type transistor unique à haute tension d'isolement pour un usage général. Il s'agit d'un isolateur à couplage optique contenant une diode électroluminescente GaAS et un phototransistor au silicium NPN. L'épaisseur de l'isolant solide entre la diode émettrice et le phototransistor de sortie est de >0,6mm.

TLP160G
En stock

TLP160G

Référence: 59-04479

1,501 TND Prix

Style de montage : SMD/SMT

Colis/Boîte : MFSOP-4

Optocoupleur ,PC716V
En stock

Optocoupleur ,PC716V

Référence: 59-04044

1,399 TND Prix

■ Caractéristiques

1. Rapport de transfert de courant élevé ( CTR : MIN. 1 000 % à I F = 1 mA, V CE = 2 V )

2. Dissipation de puissance élevée du collecteur (Pc : 300 mW)

3. Haute tension d'isolation entre entrée et sortie ( Viso : 5 000V rms )