BPW42 photo transistor 3mm
Référence: 59-03244
Caractéristiques:
● boîtier plastique Ø 3 mm
● Convient au rayonnement visible et proche infrarouge
● Haute sensibilité
● Grand angle de demi-sensibilité
● Bornes axiales
Référence: 59-05779
Garanties sécurité
Livraison gratuite à partir de 300dt
Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h
Référence: 59-03244
Caractéristiques:
● boîtier plastique Ø 3 mm
● Convient au rayonnement visible et proche infrarouge
● Haute sensibilité
● Grand angle de demi-sensibilité
● Bornes axiales
Référence: 59-05642
Circuits à filtre EMI 50V 10A EMI FILTER
Référence: 59-05686
Référence: 59-08344
Distance de détection: 70cm±10%
Type: NPN-NO
Tension de sortie: 6-36 V DC
Référence: 59-04462
Référence: 59-01531
Features: Spectral range(nm):700-1050 Power Dissipation Pd(mw): 100 Light Current IL(1000LX-10V): ≥3mA Dark current Id (OLX-10V) :<0.1uA Breakdown Voltage (VCEO(V)) >30
Référence: 59-00485
Référence: 59-05686
Référence: 59-05642
Circuits à filtre EMI 50V 10A EMI FILTER