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Référence: 59-07389
Garanties sécurité
Livraison gratuite à partir de 300dt
Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
Référence: 59-01448
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N
Référence: 59-05803
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques