

Référence: 59-07058
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Catégorie du produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 50 V
Id - Courant continu de fuite: 17 A
Rds On - Résistance drain-source: 85 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 60 W
Mode canal: Enhancement
Conditionnement: Tube
Configuration: Single
Temps de descente: 35 ns
Transconductance directe - min.: 7.7 S
Hauteur: 9.15 mm
Longueur: 10.4 mm
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 65 ns
Série: BUZ71
Sous-catégorie: MOSFETs
Type de transistor: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Délai de désactivation type: 70 ns
Largeur: 4.6 mm
Poids de l''unité: 2 g
Référence: 59-04591
Référence: 59-01448
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N
Référence: 59-07057
Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
Référence: 59-05803