BUZ60, MOSFET, canal N, 400V, 5.5A

Référence: 59-07056

4,800 TND
TTC

Features

Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

Quantité
En stock

 

Garanties sécurité

 

Livraison gratuite à partir de 300dt

 

Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h


59-07056

Références spécifiques

Produits apparentés

16 autres produits dans la même catégorie :

BUZ70, MOSFET, canal N, 60...
En stock

BUZ70, MOSFET, canal N, 60 V, 12 A

Référence: 59-07057

3,300 TND Prix

Features

Drain-Source Volt (Vds): 60V

Drain-Gate Volt (Vdg): 60V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 12A

Power Dissipation (Ptot): 40W

Type: N-Channel

MOSFET N-Channel 11A 500V,...
En stock

MOSFET N-Channel 11A 500V, IRF450

Référence: 59-01160

30,000 TND Prix

MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm

MOSFET N-Channel 200V 19A...
En stock

MOSFET N-Channel 200V 19A D2PAK-2, B19NB20

Référence: 59-01448

14,000 TND Prix

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N

Les clients qui ont acheté ce produit ont également acheté...