Référence: 59-07054
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Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: OUI
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V
Id - Courant continu de fuite: 21 A
Rds On - Résistance drain-source: 100 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2.1 V
Qg - Charge de grille: -
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Pd - Dissipation d’énergie : 125 W
Mode canal: Enhancement
Nom commercial: SIPMOS
Conditionnement: Tube
Marque: Infineon Technologies
Configuration: Single
Temps de descente: 90 ns
Transconductance directe - min.: 6 S
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 70 ns
Série: BUZ30
Sous-catégorie: MOSFETs
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 250 ns
Délai d'activation standard: 30 ns
Largeur: 4.4 mm
Poids de l''unité: 2 g
Référence: 59-00330
Cable de Charge et de transmission de donnée
Réf: TL-CABMUSB02
Référence: 59-00827
Référence: 59-01138
Fonction de l'interrupteur: ON - OFF
Forme du contact:SPST
Longeur: 31mm
Largeur: 13.5 mm
Courant nominal:16 A
Tension de fonctionnement CA: 250 VAC
Connexion: Cosse male 6.1mm
Référence: 59-04404
Référence: 59-05533
Fonction de l'interrupteur: ON - OFF
Forme du contact:SPST
Longeur: 31mm
Largeur: 13.5 mm
Courant nominal:16 A
Tension de fonctionnement CA: 250 VAC
Connexion: Cosse male 6.1mm
Référence: 59-05646
Fonction de l'interrupteur: ON - OFF
Forme du contact:DPST
Longeur: 31.5mm
Largeur: 25.5 mm
Courant nominal:16 A
Tension de fonctionnement CA: 250 VAC
Connexion: Cosse male 6.1mm
Référence: 59-01448
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
Référence: 59-05803
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
PANJIT
Waveshare
Hantek
Infineon Technologies
ON SEMICONDUCTOR