IRF840, MOSFET, canal N, 500 V, 8 A

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Catégorie du produit: MOSFET

RoHS: OUI

Technologie: Si

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: N-Channel

Nombre de canaux: 1 Channel

Vds - Tension de rupture drain-source: 500 V

Id - Courant continu de fuite: 8 A

Rds On - Résistance drain-source: 850 mOhms

Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V

Température de fonctionnement min.: - 65 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Pd - Dissipation d’énergie : 125 W

Mode canal: Enhancement

Conditionnement: Tube

Configuration: Single

Temps de descente: 9 ns

Hauteur: 9.15 mm

Longueur: 10.4 mm

Type de produit: MOSFET

Temps de montée: 21 ns

Série: IRF840

Sous-catégorie: MOSFETs

Type de transistor: 1 N-Channel

Délai d'activation standard: 10 ns

Largeur: 4.6 mm

Poids de l''unité: 2 g

59-07051

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