Référence: 59-07050
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Catégorie du produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-247-3
Polarité du transistor: P-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 100 V
Id - Courant continu de fuite: 19 A
Rds On - Résistance drain-source: 200 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Pd - Dissipation d’énergie : 150 W
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Temps de descente: 28 ns
Hauteur: 20.82 mm
Longueur: 15.87 mm
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 65 ns
Série: IRFP9140
Sous-catégorie: MOSFETs
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 47 ns
Délai d'activation standard: 16 ns
Largeur: 4.82 mm
Poids de l''unité: 6 g
Référence: 59-00054
Référence: 59-05650
Conçu et Fabriqué par KEBO
Model: ODR-5000VA
Puissance: 3000W
Tension d'entrée: 100-260Vac/140-260Vac, 50/60Hz
Tension de sortie: 220/230Vac, ±10% or 8%
Eficacité:>98%
Référence: 59-06036
Spécification:
Puissance: 100 W
Tension: 100-240V
Couleur bleue - Rouge
Taille du produit: env. 19,5 * 16,5 cm
Poids du produit: env. 260g ~ 268g
Référence: 59-06590
Référence: 59-06591
Ce tout nouvel oscilloscope portable est vraiment pratique à utiliser avec une nouvelle génération de testeur multifonction 3 en 1: oscilloscope + source de signal et multimètre. Son taux d'échantillonnage est de 250MSa/s et sa bande passante est de 70MHz. Supporter le réglage multi-angle, ultra-faible puissance, interface de charge de Type C, toutes les 2 heures de charge de la batterie permettent de travailler une journée complète ou de rester en veille deux mois. Sortie sinusoïdale, carrée, triangulaire, trapézoïdale et autre sortie de forme d'onde.
Référence: 59-06631
Ce tout nouvel oscilloscope portable est vraiment pratique à utiliser avec une nouvelle génération de testeur multifonction 2 en 1: oscilloscope et multimètre.
Son taux d'échantillonnage est de 250MSa/s et sa bande passante est de 70MHz. Supporter le réglage multi-angle, ultra-faible puissance, interface de charge de Type C, toutes les 2 heures de charge de la batterie permettent de travailler une journée complète ou de rester en veille deux mois. Sortie sinusoïdale, carrée, triangulaire, trapézoïdale et autre sortie de forme d'onde.
Référence: 59-07041
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
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Référence: 59-07042
Référence: 59-07043
Référence: 59-05803
Référence: 59-03022
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
CELECTRONIX
Hantek
STMicroelectronics
multicomp pro
Infineon Technologies
ON SEMICONDUCTOR
Toshiba