IRFZ24N, MOSFET de puissance , canal N, 55 V, 17 A

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Fabricant: Infineon

Catégorie du produit: MOSFET

Technologie: Si

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: N-Channel

Nombre de canaux: 1 Channel

Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V

Id - Courant continu de fuite: 17 A

Rds On - Résistance drain-source: 70 mOhms

Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V

Température de fonctionnement min.: - 55 C

Température de fonctionnement max.: + 175 C

Pd - Dissipation d’énergie : 45 W

Mode canal: Enhancement

Marque: Infineon / IR

Configuration: Single

Temps de descente: 27 ns

Hauteur: 15.65 mm

Longueur: 10 mm

Type de produit: MOSFET

Temps de montée: 34 ns

Sous-catégorie: MOSFETs

Type de transistor: 1 N-Channel

Délai de désactivation type: 19 ns

Délai d'activation standard: 4.9 ns

Largeur: 4.4 mm

Poids de l''unité: 2 g

59-07047

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Features

Drain-Source Volt (Vds): 60V

Drain-Gate Volt (Vdg): 60V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 12A

Power Dissipation (Ptot): 40W

Type: N-Channel

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