IRL3705NPBF, MOSFET de puissance , canal N, 55 V, 89 A

Référence: 59-06114

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Fabricant: Infineon

Catégorie du produit: MOSFET

RoHS:  Oui

Technologie: Si

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: N-Channel

Nombre de canaux: 1 Channel

Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V

Id - Courant continu de fuite: 77 A

Rds On - Résistance drain-source: 10 mOhms

Vgs - Tension grille-source: - 16 V, + 16 V

Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V

Qg - Charge de grille: 65.3 nC

Température de fonctionnement min.: - 55 C

Température de fonctionnement max.: + 175 C

Pd - Dissipation d’énergie : 130 W

Mode canal: Enhancement

Conditionnement: Tube

Configuration: Single

Hauteur: 15.65 mm

Longueur: 10 mm

Type de transistor: 1 N-Channel

Largeur: 4.4 mm

Marque: Infineon Technologies

Type de produit: MOSFET  

Sous-catégorie: MOSFETs

Poids de l''unité: 6 g

59-06114

Références spécifiques

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Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

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