IRLZ34NPBF, MOSFET de puissance , canal N, 55 V, 27 A
Référence: 59-06112
2,600 TND
TTC
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Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: Oui
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V
Id - Courant continu de fuite: 41 A
Rds On - Résistance drain-source: 35 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 16 V, + 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V
Qg - Charge de grille: 48 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 83 W
Conditionnement: Tube
Configuration: Single
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.4 mm
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFET
Poids de l''unité: 6 g
59-06112
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Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
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