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Référence: 59-06112
Garanties sécurité
Livraison gratuite à partir de 300dt
Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h
Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: Oui
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V
Id - Courant continu de fuite: 41 A
Rds On - Résistance drain-source: 35 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 16 V, + 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V
Qg - Charge de grille: 48 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 83 W
Conditionnement: Tube
Configuration: Single
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.4 mm
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFET
Poids de l''unité: 6 g
Référence: 59-00827
Référence: 59-00855
DIODE ZENER VZ 5.1V Tension, Vz: 4.8V Dissipation de puissance Pd: 1W Type de boîtier diode: DO-41 Nombre de broches: 2 Température de fonctionnement max..: 200°C Type de packaging: Unitaire Courant, test: 45mA Dissipation de puissance, max..: 1W MSL: - SVHC: No SVHC (16-Dec-2013) Température de fonctionnement: -65°C à +200°C Température d'utilisation min: -65°C Type de terminaison: Axial Leaded
Référence: 59-05279
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
Référence: 59-05801
Référence: 59-01160
MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
Référence: 59-05279
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
Référence: 59-00827