Référence: 59-06111
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Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: Oui
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V
Id - Courant continu de fuite: 41 A
Rds On - Résistance drain-source: 35 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 16 V, + 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V
Qg - Charge de grille: 48 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 83 W
Conditionnement: Tube
Configuration: Single
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.4 mm
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFET
Poids de l''unité: 6 g
Référence: 59-00663
Longeur 30cm Surmoulé
Référence: 59-00827
Référence: 59-00844
Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 40 V Envoi du courant continu: 3 A Courant de surtension max.: 80 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.525 V Courant de fuite inverse max.: 2000 uA Plage de températures de fonctionnement: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-201AD Conditionnement: Ammo Pack Marque: STMicroelectronics Catégorie du produit: Power Schottky Rectifiers Série: 1N5822
Référence: 59-01265
Low Power Dual Amplifier, LM358P
Référence: 59-01269
Le MAC97A8 412 est un triac triphasé 3 broches, très sensible et 4 quadrants, destiné à être interconnecté directement aux microcontrôleurs, aux circuits intégrés logiques ou à d'autres circuits de déclenchement basse puissance. Passivation planaire pour fiabilité et robustesse de tension.
Interface directe avec des circuits logiques
Interface directe avec des microcontrôleurs et circuits driver de porte basse puissance
Capacité de tension de blocage élevée
Déclenchement dans les quatre quadrants
Porte très sensible
Applications
Industrie, Automatisme et contrôle de Process
Référence: 59-05801
Référence: 59-06246
1. Écran LCD clair
2. Couvercle de protection confortable, avec rainure pour les cordons de test
3. Test de chute de 2 mètres avec cache de protection de précision
4. Buzzer avec un son fort
5. Conception ergonomique
Référence: 59-03022
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
Référence: 59-01448
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N
Référence: 59-00564
Référence: 59-00827
PANJIT
ON SEMICONDUCTOR
Texas Instruments
KEMET
IXYS
Infineon Technologies
UNI-T
multicomp pro