Référence: 59-06111
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Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: Oui
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V
Id - Courant continu de fuite: 41 A
Rds On - Résistance drain-source: 35 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 16 V, + 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V
Qg - Charge de grille: 48 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 83 W
Conditionnement: Tube
Configuration: Single
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.4 mm
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFET
Poids de l''unité: 6 g
Référence: 59-00663
Longeur 30cm Surmoulé
Référence: 59-00827
Référence: 59-00844
Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 40 V Envoi du courant continu: 3 A Courant de surtension max.: 80 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.525 V Courant de fuite inverse max.: 2000 uA Plage de températures de fonctionnement: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-201AD Conditionnement: Ammo Pack Marque: STMicroelectronics Catégorie du produit: Power Schottky Rectifiers Série: 1N5822
Référence: 59-01265
Low Power Dual Amplifier, LM358P
Référence: 59-01269
Le MAC97A8 412 est un triac triphasé 3 broches, très sensible et 4 quadrants, destiné à être interconnecté directement aux microcontrôleurs, aux circuits intégrés logiques ou à d'autres circuits de déclenchement basse puissance. Passivation planaire pour fiabilité et robustesse de tension.
Interface directe avec des circuits logiques
Interface directe avec des microcontrôleurs et circuits driver de porte basse puissance
Capacité de tension de blocage élevée
Déclenchement dans les quatre quadrants
Porte très sensible
Applications
Industrie, Automatisme et contrôle de Process
Référence: 59-05801
Référence: 59-06246
1. Écran LCD clair
2. Couvercle de protection confortable, avec rainure pour les cordons de test
3. Test de chute de 2 mètres avec cache de protection de précision
4. Buzzer avec un son fort
5. Conception ergonomique
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
Référence: 59-00564
Référence: 59-00827
PANJIT
ON SEMICONDUCTOR
Texas Instruments
KEMET
IXYS
Infineon Technologies
UNI-T