

Référence: 59-05858
Garanties sécurité
Livraison gratuite à partir de 300dt
Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h
Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: OUI
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 40 V
Id - Courant continu de fuite: 120 A
Rds On - Résistance drain-source: 5.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V
Qg - Charge de grille: 68 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 140 W
Mode canal: Enhancement
Conditionnement: Tube
Configuration: Single
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.4 mm
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFET
Référence: 59-00827
Référence: 59-00864
Référence: 59-01165
Référence: 59-01209
Référence: 59-02843
Le support de PCB est un outil à main qui contient des pinces sur les côtés pour placer facilement le PCB et vous permet d'ajuster la largeur et la position du PCB.
Référence: 59-05546
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
Référence: 59-01160
MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm
Référence: 59-05803
Référence: 59-01159
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface