MOSFET 40V 120A 5.5mOhm, IRF4104PBF

Référence: 59-05858

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Fabricant: Infineon

Catégorie du produit: MOSFET

RoHS:  OUI

Technologie: Si

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: N-Channel

Nombre de canaux: 1 Channel

Vds - Tension de rupture drain-source: 40 V

Id - Courant continu de fuite: 120 A

Rds On - Résistance drain-source: 5.5 mOhms

Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V

Qg - Charge de grille: 68 nC

Température de fonctionnement min.: - 55 C

Température de fonctionnement max.: + 175 C

Pd - Dissipation d’énergie : 140 W

Mode canal: Enhancement

Conditionnement: Tube

Configuration: Single

Hauteur: 15.65 mm

Longueur: 10 mm

Type de transistor: 1 N-Channel

Largeur: 4.4 mm

Marque: Infineon Technologies

Type de produit: MOSFET

59-05858

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Features

Drain-Source Volt (Vds): 60V

Drain-Gate Volt (Vdg): 60V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 12A

Power Dissipation (Ptot): 40W

Type: N-Channel

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