Référence: 59-05857
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Datasheet |
Download Datasheet |
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Fabricant |
Infineon (IRF) |
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Type de transistor |
IGBT |
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Tensions collecteur-émetteur |
600V |
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Courant du collecteur |
40A |
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Puissance de dissipation |
160W |
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Boîtier |
TO247-3 |
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Montage |
THT |
Information additionnelle
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
Référence: 59-07057
Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
Référence: 59-03022
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
Référence: 59-05799
Référence: 59-01261
Régulateur 5V 100mA
Référence: 59-05936
Référence: 59-05801
Référence: 59-05694
Infineon Technologies
multicomp pro
Toshiba