Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
3,400 TND
TTC
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Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: OUI
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 75 V
Id - Courant continu de fuite: 80 A
Rds On - Résistance drain-source: 5.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source: 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.2 V
Qg - Charge de grille: 233 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 300 W
Mode canal: Enhancement
Qualification: AEC-Q101
Nom commercial: OptiMOS
Conditionnement: Tube
Configuration: Single
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.4 mm
Marque: Infineon Technologies
Temps de descente: 22 ns
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 55 ns
59-05803
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Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
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Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
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