IRL2203N HEXFET® Power MOSFET

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-Transistor IRL2203N N-MOS 30V 116A/400Ap. 180W 0.07R(60A). V-MOS.Log.L. MOS-N-FET.
-Constructeur: IR. Logic Level.
-Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 116 A.
-Courant de Drain maxi (@100°C): 60 A. Rds (Ohms): 0.07.
-Produit garanti d'origine contructeur International Rectifier.

59-04841

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Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

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Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

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Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100

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