N-channel 80 V, 3.3 m ohm MOSFET,PSMN3R3-80PS

Référence: 59-04032

12,000 TND
TTC

MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques

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Caractéristiques et avantages

Rendement élevé grâce à de faibles pertes de commutation et de conduction

Convient pour l'entraînement de porte de niveau standard

Applications

Convertisseurs CC-CC

Commutateur de charge

Contrôle moteur

Alimentations serveur

 Min Typ Max Unit VDS drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C - - 80 V ID drain current Tmb = 25 °C; VGS = 10 V; see Figure 1 [1] - - 120 A Ptot total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2 - - 338 W Tj junction temperature -55 - 175 °C Static characteristics RDSon drain-source on-state resistance VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 100 °C; see Figure 12 - 4.6 5.4 mΩ VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C; see Figure 13 [2] - 2.8 3.3 mΩ Dynamic characteristics QGD gate-drain charge VGS = 10 V; ID = 75 A; VDS = 40 V; see Figure 14; see Figure 15 - 27 - nC QG(tot) total gate charge - 139 - nC Avalanche ruggedness EDS(AL)S non-repetitive drain-source avalanche energy VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C; ID = 120 A; Vsup ≤ 80 V; RGS = 50 Ω; unclamped

59-04032

Références spécifiques

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Features

Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

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