Diode de récupération standard, 1 kV, 1 A, 1.1 V, 30 A, 1N4007_R2_10001
Référence: 59-00827
Référence: 59-03823
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Référence: 59-00827
Référence: 59-00844
Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 40 V Envoi du courant continu: 3 A Courant de surtension max.: 80 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.525 V Courant de fuite inverse max.: 2000 uA Plage de températures de fonctionnement: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-201AD Conditionnement: Ammo Pack Marque: STMicroelectronics Catégorie du produit: Power Schottky Rectifiers Série: 1N5822
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
Référence: 59-01448
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N
Référence: 59-03022
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
Référence: 59-00827
Référence: 59-00272