W8NB100 MOSFET N-Channel 1000v 7.3A, W8NB100

Référence: 59-03022

8,500 TND
TTC

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100

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Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100

59-03022

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Fabricant: Fairchild Semiconductor Catégorie du produit: Transistors IGBT RoHS: RoHS : conforme Détails Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 600 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.5 V Tension de l'émetteur de porte max.: +/- 20 V Courant collecteur continu de 25 C: 63 A Courant de fuite gâchette-émetteur: +/- 100 nA Dissipation de la puissance: 208 W Température de fonctionnement max.: + 150 C Package/Boîte: TO-247-3 Conditionnement: Tube Marque: Fairchild Semiconductor Courant de collecteur continu Ic max.: 63 A Température de fonctionnement min.: - 40 C Style de montage: Through Hole Série: HGTG30N60 Nombre de pièces de l'usine: 150 Raccourcis pour l'article N°: HGTG30N60C3D_NL

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Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N

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Référence: 59-07056

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Features

Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

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Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Diodes Zener RoHS: Conforme à RoHS par dispense Détails Tension de Zener: 62 V Tolérance de la tension: 6 % Coefficient de la température de tension: 0.08 %/K Dissipation de la puissance: 500 mW Courant de fuite inverse max.: 100 nA Impédance Zener max.: 150 Ohms Température de fonctionnement max.: + 175 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-35 Conditionnement: Ammo Pack Marque: Vishay Semiconductors Configuration: Single Température de fonctionnement min.: - 65 C Catégorie du produit: Zener Diodes