MOSFET COOL MOS N-CHANNEL 560V 11.6A, 12N50C3

Référence: 59-01447

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59-01447

Fiche technique

Type
N-Channel

Références spécifiques

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DIODE ZENER VZ 5.1V Tension, Vz: 4.8V Dissipation de puissance Pd: 1W Type de boîtier diode: DO-41 Nombre de broches: 2 Température de fonctionnement max..: 200°C Type de packaging: Unitaire Courant, test: 45mA Dissipation de puissance, max..: 1W MSL: - SVHC: No SVHC (16-Dec-2013) Température de fonctionnement: -65°C à +200°C Température d'utilisation min: -65°C Type de terminaison: Axial Leaded

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Features

Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

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Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface

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Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100