MOSFET N-Channel 30A 200V, IRF250
Référence: 59-01159
16,000 TND
TTC
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface
Garanties sécurité
Livraison gratuite à partir de 300dt
Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface
59-01159
Fiche technique
- Type
- N-Channel
Références spécifiques
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface
16 autres produits dans la même catégorie :
Infineon Technologies
ON SEMICONDUCTOR
- Nouveau
Toshiba
Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, 2N08L07 (IPP80N08S2L-07)
Référence: 59-05803
3,400 TND
Prix
