Référence: 59-07087
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Catégorie du produit: Diodes Zener
Vz - Tension Zener: 3.6 V
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: DO-35-2
Pd - Dissipation d’énergie : 500 mW
Tolérance de la tension: 6 %
Coefficient de la température de tension: - 0.065 %/K
Zz - Impédance Zener: 85 Ohms
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Configuration: Single
Test du courant: 5 mA
Hauteur: 1.7 mm
Ir - Courant de fuite inverse maximal: 2 uA
Ir - Courant inverse: 2 uA
Longueur: 3.9 mm
Type de produit: Zener Diodes
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Largeur: 1.7 mm
Poids de l''unité: 150 mg
Référence: 59-00330
Cable de Charge et de transmission de donnée
Réf: TL-CABMUSB02
Référence: 59-05126
Processeur : Broadcom BCM2711, quad-core Cortex-A72 (ARM v8) 64-bit SoC @ 1.5GHz Mémoire : 2GB
Référence: 59-05190
Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Diodes et redresseurs Schottky RoHS: RoHS : conforme Détails Marque: Vishay Semiconductors Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 100 V Envoi du courant continu: 8 A Courant de surtension max.: 850 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.88 V at 16 A Courant de fuite inverse max.: 550 uA Plage de températures de fonctionnement: - 55 C to + 175 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-2
Référence: 59-05853
Référence: 59-03531
La 1N4001-T est une diode de redressement avec boîtier en plastique moulé. Les diodes de redressement ont une capacité de courant élevée et une faible chute de tension directe.
Référence: 59-00835
Power: 0.1 W Infrared light power: 80 mW/sr above Current: 50 ma Launch Angle: 30 degrees, 45 degrees, 60 degrees Voltage (VF) : 1.1-1.4 V (0.1 V each file) Wave long (WD) : 940 nm Tube (limit parameters (Absolute Maximum Ratings) (Ta = 25) The biggest power: a 70 MW; The biggest positive current: 30 MA; The biggest reverse voltage: 5 V; Maximum pulse current peak: 75 MA; The welding temperature/time: 240 /than 5 S/S; Work environment:-25 ~ + 85 Storage temperature: ~ + 100;
Référence: 59-06254
Référence: 59-00825
PEAK PULSE POWER : 1500 W (10/1000ms) BREAKDOWN VOLTAGE RANGE : From 6.8V to 440 V UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES LOW CLAMPING FACTOR FAST RESPONSE TIME UL RECOGNIZED DESCRIPTION Transil diodes provide high overvoltage protection by clamping action. Their instantaneous response to transient overvoltages makes them particularly suited to protect voltage sensitive devices such as MOS Technology and low voltage supplied IC’s.
Référence: 59-07206
Référence: 59-03022
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
Raspberry Pi
Vishay Semiconductors
FAGOR