Barrette SIL femelle 1 x 40P 2.54mm

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Diode emettrice infrarouge 5mm 940Nm

Référence: 59-00835

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Power: 0.1 W Infrared light power: 80 mW/sr above Current: 50 ma Launch Angle: 30 degrees, 45 degrees, 60 degrees Voltage (VF) : 1.1-1.4 V (0.1 V each file) Wave long (WD) : 940 nm Tube (limit parameters (Absolute Maximum Ratings) (Ta = 25) The biggest power: a 70 MW; The biggest positive current: 30 MA; The biggest reverse voltage: 5 V; Maximum pulse current peak: 75 MA; The welding temperature/time: 240 /than 5 S/S; Work environment:-25 ~ + 85 Storage temperature: ~ + 100;

BPW42 photo transistor 3mm
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BPW42 photo transistor 3mm

Référence: 59-03244

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Caractéristiques:

● boîtier plastique Ø 3 mm

● Convient au rayonnement visible et proche infrarouge

● Haute sensibilité

● Grand angle de demi-sensibilité

● Bornes axiales

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