Référence: 59-00833
Diodes TVS - Parasurtenseurs Polarité: Bidirectional Tension de fonctionnement: 5.8 V Tension de rupture: 6.45 V Blocage de la tension: 10.5 V Courant de surtension de pointe: 57 A
Garanties sécurité
Livraison gratuite à partir de 300dt
Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h
Diodes TVS - Parasurtenseurs Polarité: Bidirectional Tension de fonctionnement: 5.8 V Tension de rupture: 6.45 V Blocage de la tension: 10.5 V Courant de surtension de pointe: 57 A
Diodes TVS - Parasurtenseurs Polarité: Bidirectional Tension de fonctionnement: 5.8 V Tension de rupture: 6.45 V Blocage de la tension: 10.5 V Courant de surtension de pointe: 57 A
Référence: 59-00083
Amplificateurs opérationnels - Amplis-Op
Référence: 59-03971
Référence: 59-03989
La description
Propulsé par la technologie avancée RioRand.
moteur sans noyau, largeur de bande morte : 2 usec.
Couple de décrochage : 1,5 kg/cm à 4,8 V.
Tension : 3,0 - 7,2 Volts.
Dimensions : 22 mm x 12 mm x 29 mm.
Importé des États-Unis (les tailles et les spécifications sont basées sur le marché américain).
Référence: 59-04952
Le mode de périphérique USB CH375 est entièrement compatible avec CH372, CH375 contient toutes les fonctionnalités du CH372. Le mode hôte USB CH375 commun prend en charge le périphérique USB à pleine vitesse, le microcontrôleur externe peut passer par le CH375 conformément au protocole USB et à la communication du périphérique USB.
Référence: 59-05801
Référence: 59-00835
Power: 0.1 W Infrared light power: 80 mW/sr above Current: 50 ma Launch Angle: 30 degrees, 45 degrees, 60 degrees Voltage (VF) : 1.1-1.4 V (0.1 V each file) Wave long (WD) : 940 nm Tube (limit parameters (Absolute Maximum Ratings) (Ta = 25) The biggest power: a 70 MW; The biggest positive current: 30 MA; The biggest reverse voltage: 5 V; Maximum pulse current peak: 75 MA; The welding temperature/time: 240 /than 5 S/S; Work environment:-25 ~ + 85 Storage temperature: ~ + 100;
Référence: 59-05853
Référence: 59-05286
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
Référence: 59-05296
Diodes Zener à petit signal
Propriétés inverses très pointues
Faible niveau de courant inverse
Stabilité très élevée
Niveau sonore faible.
Certifié AEC-Q101
Référence: 59-06254
Référence: 59-03531
La 1N4001-T est une diode de redressement avec boîtier en plastique moulé. Les diodes de redressement ont une capacité de courant élevée et une faible chute de tension directe.
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
Référence: 59-04516
Le BC107 est un petit transistor NPN unique disponible dans un boîtier métallique TO-18. Ces transistors sont très anciens et ont été utilisés dans des conceptions à faible bruit et à faible signal. Aujourd'hui, de nombreux nouveaux transistors sont venus remplacer le BC107, mais le transistor peut toujours être trouvé sur le marché pour son héritage.
LITEON
ON SEMICONDUCTOR
Vishay Semiconductors