BC308, Transistors bipolaires, BJT PNP, 25V, 100mA, HFE/800

Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT

RoHS:  OUI

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-92-3

Polarité du transistor: PNP

Configuration: Single

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 25 V

Collecteur - Tension de base VCBO: 5 V

Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V

Courant CC max. du collecteur: 100 mA

Pd - Dissipation d’énergie : 500 mW

Produit gain-bande passante fT : 130 MHz

Température de fonctionnement min.: - 55 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Conditionnement: Bulk

Courant de collecteur continu : 0.1 A

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 120

Gain de courant CC hFE max.: 800

Hauteur: 5.33 mm

Longueur: 5.2 mm

Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors  

Sous-catégorie: Transistors

Technologie: Si

Largeur: 4.19 mm

Poids de l''unité: 240 mg