BD140, Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 80 V, 1.25 W, 3 A

Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT

RoHS:  OUI

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: SOT-32-3

Polarité du transistor: PNP

Configuration: Single

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 80 V

Collecteur - Tension de base VCBO: 80 V

Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV

Courant CC max. du collecteur: 3 A

Pd - Dissipation d’énergie : 1.25 W

Produit gain-bande passante fT : -

Température de fonctionnement min.: -

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Série: BD140

Courant de collecteur continu : - 1.5 A

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40

Gain de courant CC hFE max.: 250

Hauteur: 10.8 mm

Longueur: 7.8 mm

Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors

Sous-catégorie: Transistors

Technologie: Si

Largeur: 2.7 mm

Poids de l''unité: 60 mg