BD242C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100 V, 40 W, 3 A

Référence: 59-07067

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Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT	RoHS:	OUI	Style de montage:	Through Hole	Package/Boîte:	TO-220-3	Polarité du transistor:	PNP	Configuration:	Single	Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	100 V	Collecteur - Tension de base VCBO:	115 V	Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V	Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.2 V	Courant CC max. du collecteur:	3 A	Pd - Dissipation d’énergie :	40 W	Produit gain-bande passante fT :	3 MHz	Température de fonctionnement min.:	- 65 C	Température de fonctionnement max.:	+ 150 	Courant de collecteur continu :	3 A	Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	25	Hauteur:	9.28 mm	Longueur:	10.28 mm	Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors	Sous-catégorie:	Transistors	Technologie:	Si	Largeur:	4.82 mm	Poids de l''unité:	6 g

						
					


					
					

  
          

                  
            
          
              

              

        
        59-07067
      

      

  
      

  
      

  
    

      
    

  

  
      

    
          

        
Références spécifiques

          

                      

      

      

  
      


					
					

						
					

					
										
										

						
					

									

			

		

	

    
      
    

    
      

        
          
        
      

    
	

  



    
  



			  
			

							 
				  					

						

							

								
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BD136, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, 40 hFE

					
Référence: 59-07041

				
				
				 
				  					

					   2,200 TND
					  
					  

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Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio

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