Optocoupleurs DIP-6, MCT271
Référence: 59-05426
Optocoupleurs de sortie de transistor DIP-6 PHOTO TRANS
Référence: 59-06362
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Catégorie de produit: Optocoupleurs de sortie transistor
RoHS: Des détails
Paquet / caisse: DIP-6
Le type de sortie: Phototransistor NPN
Nombre de canaux: 1 canal
Si - Courant direct: 60 mA
Tension maximale de l'émetteur du collecteur: 70 V
Courant maximal du collecteur: 100 mA
Tension d'isolement: 5000 Vrms
Tension de saturation maximale de l'émetteur du collecteur: 0,4 V
Vf - Tension directe: 1,65 V
Vr - Tension inverse: 6 V
Pd - Dissipation de puissance: 150 mW
Température de fonctionnement minimum: - 55 C
Température de fonctionnement maximale: + 100 C
Séries: CNY
Emballage: Tube
Hauteur: 3,81 millimètre
Longueur: 8,7 millimètre
Largeur: 6,5 mm
Tension de rupture collecteur-émetteur: 70 V
Style de montage: À travers le trou
Rapport de transfert actuel: 125%
Type de produit: Optocoupleurs de sortie transistor
Référence: 59-05426
Optocoupleurs de sortie de transistor DIP-6 PHOTO TRANS
Référence: 59-06108
Référence: 59-05802
Référence: 59-04847
Optocoupleurs de sortie de transistor OPTOCPLR 6PIN SNGL PHOTO XTR-e3
Référence: 59-04044
■ Caractéristiques
1. Rapport de transfert de courant élevé ( CTR : MIN. 1 000 % à I F = 1 mA, V CE = 2 V )
2. Dissipation de puissance élevée du collecteur (Pc : 300 mW)
3. Haute tension d'isolation entre entrée et sortie ( Viso : 5 000V rms )
Référence: 59-01497
Référence: 59-04045
Caractéristiques:
Paquet/boîte Dip 6 broches
Vdr 30V
Courant Si 60mA
Isolement Vrms 7500
Temps de montée Tr 2.2us
Temps de chute Tf 2.2us
Référence: 59-05667
Référence: 59-01490
Le 4N25 est un coupleur de phototransistor standard à une voie avec une connexion de base. L'optocoupleur est constitué d'une LED infrarouge en arséniure de gallium et d'un phototransistor silicium NPN.
Référence: 59-03841
Le KB817 est un photocoupleur de type transistor unique à haute tension d'isolement pour un usage général. Il s'agit d'un isolateur à couplage optique contenant une diode électroluminescente GaAS et un phototransistor au silicium NPN. L'épaisseur de l'isolant solide entre la diode émettrice et le phototransistor de sortie est de >0,6mm.