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Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
3,400 TND
Prix
H30R1202, IGBT à conduction inverse 30A 1200V (IHW30N120R2)
Référence: 59-05198
5,000 TND
Prix
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant
Gaine tressée fibre de verre enduite d’un caoutchouc de silicone Bleu Ø4mm S.C.S.
Référence: 59-05878
6,000 TND
Prix
Gaine tressée fibre de verre enduite d’un caoutchouc de silicone
Gaine tressée fibre de verre enduite d’un caoutchouc de silicone rouge Ø4mm S.C.S.
Référence: 59-05877
6,000 TND
Prix
Gaine tressée fibre de verre enduite d’un caoutchouc de silicone
Gaine tressée fibre de verre enduite d’un caoutchouc de silicone Rouge Ø5.5mm S.C.S.
Référence: 59-05881
6,500 TND
Prix
Gaine tressée fibre de verre enduite d’un caoutchouc de silicone
IRS2112PBF - Driver de MOSFET et IGBT, High Side Low Side, Alimentation 10V-20V, Sortie 600 mA, PDIP-14
Référence: 59-05304
8,000 TND
Prix
60APU04, Redresseur à récupération ultra rapide à diode 400V 60A 3 broches TO-247AC
Référence: 59-06101
15,000 TND
Prix
