BD250C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07062
5,800 TND
Prix
Transistors
BD677, Transistor Darlington NPN, 4 A, 60 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: 59-07042
0,650 TND
Prix
BD678, Transistor Darlington PNP, 4A, 60V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: 59-02980
0,650 TND
Prix
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power, TIP29A
Référence: 59-05425
1,299 TND
Prix
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
2N2222A, Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
Référence: 59-02968
1,299 TND
Prix
Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
BD136, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, 40 hFE
Référence: 59-07041
2,200 TND
Prix
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
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Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45V, 1.25W, 1.5A, 250 hFE, BD135
Référence: 59-05780
2,200 TND
Prix
Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, 2N08L07 (IPP80N08S2L-07)
Référence: 59-05803
3,400 TND
Prix
H30R1202, IGBT à conduction inverse 30A 1200V (IHW30N120R2)
Référence: 59-05198
5,000 TND
Prix
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant
