Transistors
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H30R1202, IGBT à conduction inverse 30A 1200V (IHW30N120R2)
Référence: 59-05198
5,000 TND
Prix
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant
Transitor NPN de puissance 60V 8A, BD201
Référence: 59-02981
6,000 TND
Prix
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
W8NB100 MOSFET N-Channel 1000v 7.3A, W8NB100
Référence: 59-03022
8,500 TND
Prix
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
N-channel 80 V, 3.3 m ohm MOSFET,PSMN3R3-80PS
Référence: 59-04032
12,000 TND
Prix
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
MOSFET N-Channel 200V 19A D2PAK-2, B19NB20
Référence: 59-01448
14,000 TND
Prix
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N
NPN Power Transistors, 2N5239
Référence: 59-01486
15,000 TND
Prix
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
MOSFET N-Channel 30A 200V, IRF250
Référence: 59-01159
16,000 TND
Prix
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface
IGBT 63A 600V N Chanel G30N60C3D
Référence: 59-02979
19,000 TND
Prix
Fabricant: Fairchild Semiconductor Catégorie du produit: Transistors IGBT RoHS: RoHS : conforme Détails Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 600 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.5 V Tension de l'émetteur de porte max.: +/- 20 V Courant collecteur continu de 25 C: 63 A Courant de fuite gâchette-émetteur: +/- 100 nA Dissipation de la puissance: 208 W Température de fonctionnement max.: + 150 C Package/Boîte: TO-247-3 Conditionnement: Tube Marque: Fairchild Semiconductor Courant de collecteur continu Ic max.: 63 A Température de fonctionnement min.: - 40 C Style de montage: Through Hole Série: HGTG30N60 Nombre de pièces de l'usine: 150 Raccourcis pour l'article N°: HGTG30N60C3D_NL
MOSFET N-Channel 11A 500V, IRF450
Référence: 59-01160
30,000 TND
Prix
MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm