Transistors
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BC847BPDW1T1G Transistors bipolaires - BJT,100mA 50V Dual Complementary
Référence: 59-05936
0,200 TND
Prix
Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
3,400 TND
Prix
H30R1202, IGBT à conduction inverse 30A 1200V (IHW30N120R2)
Référence: 59-05198
5,000 TND
Prix
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant