Transistors
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BD681, Transistror Darlington NPN, 4 A, 100 V, 40 W, SOT-32, 3 broches
Référence: 59-07068
2,000 TND
Prix
BD249C, Transistor bipolaire (BJT), NPN, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07064
8,000 TND
Prix
BD246C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 10A, 80W, SOT-93-3
Référence: 59-07063
6,200 TND
Prix
BD250C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07062
5,800 TND
Prix
BUZ70, MOSFET, canal N, 60 V, 12 A
Référence: 59-07057
3,300 TND
Prix
Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
BUZ60, MOSFET, canal N, 400V, 5.5A
Référence: 59-07056
4,800 TND
Prix
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
BD676, Transistror Darlington NPN, 4 A, 45 V, 40 W, SOT-32, 3 broches
Référence: 59-07043
1,220 TND
Prix
MJE13005, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 400 V, 75 W, 4 A
Référence: 59-07040
2,200 TND
Prix
BC847BPDW1T1G Transistors bipolaires - BJT,100mA 50V Dual Complementary
Référence: 59-05936
0,200 TND
Prix
DDTC123ECA-7-F, Transistors bipolaires - Prépolarisés PRE-BIAS NPN 200mW, SOT-23-3
Référence: 59-05934
0,200 TND
Prix
Transistor NPN BC107
Référence: 59-04516
0,250 TND
Prix
Le BC107 est un petit transistor NPN unique disponible dans un boîtier métallique TO-18. Ces transistors sont très anciens et ont été utilisés dans des conceptions à faible bruit et à faible signal. Aujourd'hui, de nombreux nouveaux transistors sont venus remplacer le BC107, mais le transistor peut toujours être trouvé sur le marché pour son héritage.
BD677, Transistror Darlington NPN, 4 A, 60 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: 59-07042
0,650 TND
Prix
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power, TIP29A
Référence: 59-05425
1,299 TND
Prix
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
BD136, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, 40 hFE
Référence: 59-07041
2,200 TND
Prix
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
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Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45V, 1.25W, 1.5A, 250 hFE, BD135
Référence: 59-05780
2,200 TND
Prix
BU626 NPN 10A 400V package TO-3
Référence: 59-03255
2,700 TND
Prix
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
3,400 TND
Prix
Transistor bipolaire NPN, 2N3741
Référence: 59-02970
4,800 TND
Prix
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN