Semi-conducteurs
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TB2904HQ, Amplificateur audio BTL 4CH 43W
Référence: 59-07085
14,000 TND
Prix
L'application typique du TB2904HQ est un amplificateur audio BTL 4 canaux pour les applications audio de voiture. Ce circuit intégré peut générer une puissance plus élevée : POUT MAX = 43 W car il inclut l'étage de sortie DMOS P-ch et N-ch purement complémentaire. Il est conçu pour produire un faible taux de distorsion pour l'amplificateur de puissance audio BTL 4 canaux, la fonction de veille intégrée, la fonction de mise en sourdine et divers types de protecteurs. De plus, le détecteur de décalage est intégré
TDA6107Q, Amplificateur video
Référence: 59-07080
6,500 TND
Prix
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le TDA6107Q comprend trois amplificateurs de sortie vidéo dans une moyenne puissance en plastique DIL-bent-SIL 9 broches (DBS9MPF)
package (SOT111-1), utilisant DMOS haute tension technologie, et est destiné à piloter les trois cathodes de un CRT couleur directement. Pour obtenir des performances maximales,
BD681, Transistor Darlington NPN, 4 A, 100 V, 40 W, SOT-32, 3 broches
Référence: 59-07068
2,000 TND
Prix
BD249C, Transistor bipolaire (BJT), NPN, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07064
8,000 TND
Prix
BD246C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 10A, 80W, SOT-93-3
Référence: 59-07063
6,200 TND
Prix
BD250C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07062
5,800 TND
Prix
BD676, Transistor Darlington NPN, 4 A, 45 V, 40 W, SOT-32, 3 broches
Référence: 59-07043
1,220 TND
Prix
MJE13005, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 400 V, 75 W, 4 A
Référence: 59-07040
2,200 TND
Prix
Low Power Dual Amplifier, LM358P
Référence: 59-05194
0,750 TND
Prix
Low Power Dual Amplifier, LM358P
Diode de récupération standard, 1 kV, 1 A, 1.1 V, 30 A, 1N4007_R2_10001
Référence: 59-00827
0,100 TND
Prix
SS9016, Transistor NPN, 30V, 25mA
Référence: 59-08813
0,100 TND
Prix
CONVERTISSEUR AM, AMPLIFICATEUR FM/RF À FAIBLE BRUIT
2N3906, Transistor bipolaire BJT PNP 40V 200mA
Référence: 59-08787
0,100 TND
Prix
Le 2N3906 est un transistor NPN traversant, basse puissance silicium en boîtier TO-92 en métal.
Ce transistor offre une commutation rapide. Il est recommandé pour les commutations et l'amplification.
Diode 1N4001
Référence: 59-03531
0,100 TND
Prix
La 1N4001-T est une diode de redressement avec boîtier en plastique moulé. Les diodes de redressement ont une capacité de courant élevée et une faible chute de tension directe.
Diode zener 62V 0.5W BZX55-C62PH, BZX55-C62PH
Référence: 59-00857
0,120 TND
Prix
Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Diodes Zener RoHS: Conforme à RoHS par dispense Détails Tension de Zener: 62 V Tolérance de la tension: 6 % Coefficient de la température de tension: 0.08 %/K Dissipation de la puissance: 500 mW Courant de fuite inverse max.: 100 nA Impédance Zener max.: 150 Ohms Température de fonctionnement max.: + 175 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-35 Conditionnement: Ammo Pack Marque: Vishay Semiconductors Configuration: Single Température de fonctionnement min.: - 65 C Catégorie du produit: Zener Diodes
Diode Zener 5.1V 1W, BZX85C5V1
Référence: 59-00855
0,240 TND
Prix
DIODE ZENER VZ 5.1V Tension, Vz: 4.8V Dissipation de puissance Pd: 1W Type de boîtier diode: DO-41 Nombre de broches: 2 Température de fonctionnement max..: 200°C Type de packaging: Unitaire Courant, test: 45mA Dissipation de puissance, max..: 1W MSL: - SVHC: No SVHC (16-Dec-2013) Température de fonctionnement: -65°C à +200°C Température d'utilisation min: -65°C Type de terminaison: Axial Leaded
Diodes Zener 5.6 Volt 0.5W 5%, BZX55C5V6-TAP
Référence: 59-05296
0,150 TND
Prix
Diodes Zener 500 mW, série BZX55C, Vishay Semiconductor
Diodes Zener à petit signal
Propriétés inverses très pointues
Faible niveau de courant inverse
Stabilité très élevée
Niveau sonore faible.
Certifié AEC-Q101
