Semi-conducteurs

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DIODE LASER avec connecteur...
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DIODE LASER avec connecteur jack

Référence: 59-03678

11,500 TND Prix

ransmettre du son avec un faisceau laser nécessite peu de moyens matériels et financiers. Un laser grand public (pointeur premier prix), une petite cellule solaire (récupérée sur une calculatrice ou sur une lampe LED de jardin) et quelques autres composants "facultatifs" suffisent.

N-channel 80 V, 3.3 m ohm...
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N-channel 80 V, 3.3 m ohm MOSFET,PSMN3R3-80PS

Référence: 59-04032

12,000 TND Prix

MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques

Ethernet ICs 8 KB RAM...
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Ethernet ICs 8 KB RAM MAC&PHY Ethernet Controller, ENC28J60-I/SS

Référence: 59-00942

12,000 TND Prix

Manufacturer: Microchip Product Category: Ethernet ICs RoHS: RoHS Compliant Details Brand: Microchip Technology Product: Ethernet Controllers Supply Voltage - Max: 3.6 V Supply Voltage - Min: 3.1 V Maximum Operating Temperature: + 85 C Package / Case: SSOP-28 Packaging: Tube Ethernet Connection Type: 10/100/1000Base-T Interface: SPI Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT

HFA08TB60 Diode Redresseurs...
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HFA08TB60 Diode Redresseurs 600 Volt 8.0 Amp, HFA08TB60

Référence: 59-01110

12,600 TND Prix

Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Redresseurs RoHS: RoHS : conforme Détails Produit: Ultra Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Tension inverse: 600 V Chute de tension directe: 2.1 V at 16 A Délai de reprise: 55 ns Envoi du courant continu: 8 A Courant de surtension max.: 60 A Courant inversé IR: 5 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-2 Conditionnement: Tube Marque: Vishay Semiconductors Température de fonctionnement max.: + 150 C Température de fonctionnement min.: - 55 C Catégorie du produit: HEXFRED Diodes

MOSFET N-Channel 200V 19A...
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MOSFET N-Channel 200V 19A D2PAK-2, B19NB20

Référence: 59-01448

14,000 TND Prix

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N

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